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VBT6045CBP
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 22-May12
3
Document Number: 89374
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Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Instantaneous Forward Voltage (V)
0 0.2 0.4 0.70.1 0.3 0.5
0.6
100
10
1
0.1
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 100 °C
TA
= 25 °C
Instantaneous Forward Current (A)
20 40 60 80 100
1
0.1
0.01
0.001
100
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous Reverse Current (mA)
TA
= 150 °C
TA= 25 °C
TA
= 100 °C
TA
= 125 °C
100
10 000
100 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
Junction Capacitance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
1000
10
0.1
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Junction to Case
1
Transient Thermal Impedance (°C/W)
TO-263AB
Mounting Pad Layout
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.08 (2.032) MIN.
0.15 (3.81) MIN.
0.33 (8.38) MIN.
0.42 (10.66) MIN.
12K
0.591 (15.00)
K
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0 to 0.01 (0 to 0.254)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.624 (15.85)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
MIN.
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